一、SMART概述

　　硬盤的故障一般分為兩種：可預(yù)測的（predictable）和不可預(yù)測的（unpredictable）。后者偶而會發(fā)生，也沒有辦法去預(yù)防它，例如芯片突然失效，機械撞擊等。但像電機軸承磨損、盤片磁介質(zhì)性能下降等都屬于可預(yù)測的情況，可以在在幾天甚至幾星期前就發(fā)現(xiàn)這種不正常的現(xiàn)象。如果發(fā)生這種問題，SMART功能會在開機時響起警報，至少讓使用者有足夠的時間把重要資料轉(zhuǎn)移到其它儲存設(shè)備上。 
　　最早期的硬盤監(jiān)控技術(shù)起源于1992年，IBM在AS/400計算機的IBM 0662 SCSI 2代硬盤驅(qū)動器中使用了后來被命名為Predictive Failure Analysis（故障預(yù)警分析技術(shù)）的監(jiān)控技術(shù)，它是通過在固件中測量幾個重要的硬盤安全參數(shù)和評估他們的情況，然后由監(jiān)控軟件得出兩種結(jié)果：“硬盤安全”或“不久后會發(fā)生故障”。

　　不久，當(dāng)時的微機制造商康柏和硬盤制造商希捷、昆騰以及康納共同提出了名為IntelliSafe的類似技術(shù)。通過該技術(shù)，硬盤可以測量自身的的健康指標(biāo)并將參量值傳送給操作系統(tǒng)和用戶的監(jiān)控軟件中，每個硬盤生產(chǎn)商有權(quán)決定哪些指標(biāo)需要被監(jiān)控以及設(shè)定它們的安全閾值。 
　　1995年，康柏公司將該技術(shù)方案提交到Small Form Factor(SFF)委員會進行標(biāo)準(zhǔn)化，該方案得到IBM、希捷、昆騰、康納和西部數(shù)據(jù)的支持，1996年6月進行了1.3版的修正，正式更名為S.M.A.R.T.（Self-Monitoring Analysis And Reporting Technology），全稱就是“自我檢測分析與報告技術(shù)”，成為一種自動監(jiān)控硬盤驅(qū)動器完好狀況和報告潛在問題的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。 
　　作為行業(yè)規(guī)范，SMART規(guī)定了硬盤制造廠商應(yīng)遵循的標(biāo)準(zhǔn)，滿足SMART標(biāo)準(zhǔn)的條件主要包括： 
　　1）在設(shè)備制造期間完成SMART需要的各項參數(shù)、屬性的設(shè)定； 
　　2）在特定系統(tǒng)平臺下，能夠正常使用SMART；通過BIOS檢測，能夠識別設(shè)備是否支持SMART并可顯示相關(guān)信息，而且能辨別有效和失效的SMART信息； 
　　3）允許用戶自由開啟和關(guān)閉SMART功能； 
　　4）在用戶使用過程中，能提供SMART的各項有效信息，確定設(shè)備的工作狀態(tài)，并能發(fā)出相應(yīng)的修正指令或警告。在硬盤及操作系統(tǒng)都支持SMART技術(shù)并且開啟的情況下，若硬盤狀態(tài)不良，SMART技術(shù)能夠在屏幕上顯示英文警告信息：“WARNING：IMMEDIATLY BACKUP YOUR DATA AND REPLACE YOUR HARD DISK DRIVE，A FAILURE MAY BE IMMINENT．”(警告：立刻備份你的數(shù)據(jù)并更換硬盤，硬盤可能失效。) 
　　SMART功能不斷從硬盤上的各個傳感器收集信息，并把信息保存在硬盤的系統(tǒng)保留區(qū)(service area)內(nèi)，這個區(qū)域一般位于硬盤0物理面的最前面幾十個物理磁道，由廠商寫入相關(guān)的內(nèi)部管理程序。這里除了SMART信息表外還包括低級格式化程序、加密解密程序、自監(jiān)控程序、自動修復(fù)程序等。用戶使用的監(jiān)測軟件通過名為“SMART Return Status”的命令（命令代碼為：B0h）對SMART信息進行讀取，且不允許最終用戶對信息進行修改。

 
　　二、SMART的ID代碼

　　硬盤SMART檢測的ID代碼以兩位十六進制數(shù)表示（括號里對應(yīng)的是十進制數(shù)）硬盤的各項檢測參數(shù)。目前，各硬盤制造商的絕大部分SMART ID代碼所代表的參數(shù)含義是一致的，但廠商也可以根據(jù)需要使用不同的ID代碼，或者根據(jù)檢測項目的多少增減ID代碼。一般來說，以下這些檢測項是必需的： 
　　01（001） 底層數(shù)據(jù)讀取錯誤率 Raw Read Error Rate 
　　04（004） 啟動/停止計數(shù) Start/Stop Count 
　　05（005） 重映射扇區(qū)數(shù) Relocated Sector Count 
　　09（009） 通電時間累計 Power-On Time Count (POH) 
　　0A（010） 主軸起旋重試次數(shù)（即硬盤主軸電機啟動重試次數(shù)） Spin up Retry Count 
　　0B（011） 磁盤校準(zhǔn)重試次數(shù) Calibration Retry Count 
　　0C（012） 磁盤通電次數(shù) Power Cycle Count

　　C2（194） 溫度 Temperature 
　　C7（199） ULTRA DMA奇偶校驗錯誤率 ULTRA ATA CRC Error Rate 
　　C8（200） 寫錯誤率 Write Error Rate

三、SMART的描述（Description）

　　描述，即某一檢測項目的名稱，是ID代碼的文字解釋。對用戶而言，不僅要了解描述的含義，重要的是要了解各參數(shù)的值如“臨界值”、“最差值”的定義，“當(dāng)前值”與“數(shù)據(jù)值”的區(qū)別等，才能對自己的硬盤狀態(tài)有一個基本了解。

四、SMART的值

　　1、臨界值（Threshold） 
　　臨界值是硬盤廠商指定的表示某一項目可靠性的門限值，也稱閾值，它通過特定公式計算而得。如果某個參數(shù)的當(dāng)前值接近了臨界值，就意味著硬盤將變得不可靠，可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或者硬盤故障。由于臨界值是硬盤廠商根據(jù)自己產(chǎn)品特性而確定的，因此用廠商提供的專用檢測軟件往往會跟Windows下檢測軟件的檢測結(jié)果有較大出入。 
　　以參數(shù)Raw Read Error Rate（底層數(shù)據(jù)讀取錯誤率）為例：某型硬盤對該參數(shù)的計算公式為“10×log10（主機和硬盤之間所傳輸數(shù)據(jù)的扇區(qū)數(shù)）×512×8／重讀的扇區(qū)數(shù)”。其中“512×8”是把扇區(qū)數(shù)轉(zhuǎn)化為所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)位(bits)，這個值只在所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)位處于1010～1012范圍時才作計算，而當(dāng)Windows系統(tǒng)啟動后，主機和硬盤之間所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)扇區(qū)大于或等于1012時，此值將重新復(fù)位，所以有些值在不同的操作環(huán)境、不同檢測程序下時會有較大的波動。

　　2、當(dāng)前值（Normalized value） 
　　當(dāng)前值是各ID項在硬盤運行時根據(jù)實測數(shù)據(jù)通過公式計算的結(jié)果，計算公式由硬盤廠家自定。 
　　硬盤出廠時各ID項目都有一個預(yù)設(shè)的最大正常值，也即出廠值，這個預(yù)設(shè)的依據(jù)及計算方法為硬盤廠家保密，不同型號的硬盤都不同，最大正常值通常為100或200或253，新硬盤剛開始使用時顯示的當(dāng)前值可以認為是預(yù)設(shè)的最大正常值（有些ID項如溫度等除外）。隨著使用損耗或出現(xiàn)錯誤，當(dāng)前值會根據(jù)實測數(shù)據(jù)而不斷刷新并逐漸減小。因此，當(dāng)前值接近臨界值就意味著硬盤壽命的減少，發(fā)生故障的可能性增大，所以當(dāng)前值也是判定硬盤健康狀態(tài)或推測壽命的依據(jù)之一。

　　3、最差值（Worst） 
　　最差值是硬盤運行時各ID項曾出現(xiàn)過的最大的非正常值。 
　　最差值是對硬盤運行中某項數(shù)據(jù)變劣的峰值統(tǒng)計，該數(shù)值也會不斷刷新。通常，最差值與當(dāng)前值是相等的，如果最差值出現(xiàn)較大的波動（小于當(dāng)前值），表明硬盤曾出現(xiàn)錯誤或曾經(jīng)歷過惡劣的工作環(huán)境（如溫度）。

　　4、數(shù)據(jù)值（Data或Raw value） 
　　數(shù)據(jù)值是硬盤運行時各項參數(shù)的實測值，大部分SMART工具以十進制顯示數(shù)據(jù)。 
　　數(shù)據(jù)值代表的意義隨參數(shù)而定，大致可以分為三類： 
　　1）數(shù)據(jù)值并不直接反映硬盤狀態(tài)，必須經(jīng)過硬盤內(nèi)置的計算公式換算成當(dāng)前值才能得出結(jié)果； 
　　2）數(shù)據(jù)值是直接累計的，如Start/Stop Count（啟動/停止計數(shù)）的數(shù)據(jù)是50，即表示該硬盤從出廠到現(xiàn)在累計啟停了50次； 
　　3）有些參數(shù)的數(shù)據(jù)是即時數(shù)，如Temperature（溫度）的數(shù)據(jù)值是44，表示硬盤的當(dāng)前溫度是44℃。 
　　因此，有些參數(shù)直接查看數(shù)據(jù)也能大致了解硬盤目前的工作狀態(tài)。

五、狀態(tài)(Status)

　　硬盤的每項SMART信息中都有一個臨界值（閾值），不同硬盤的臨界值是不同的，SMART針對各項的當(dāng)前值、最差值和臨界值的比較結(jié)果以及數(shù)據(jù)值進行分析后，提供硬盤當(dāng)前的評估狀態(tài)，也是我們直觀判斷硬盤健康狀態(tài)的重要信息。根據(jù)SMART的規(guī)定，狀態(tài)一般有正常、警告、故障或錯誤三種狀態(tài)。

　　SMART判定這三個狀態(tài)與SMART的 Pre-failure/advisory BIT（預(yù)測錯誤/發(fā)現(xiàn)位）參數(shù)的賦值密切相關(guān)，當(dāng)Pre-failure/advisory BIT=0，并且當(dāng)前值、最差值遠大于臨界值的情況下，為正常標(biāo)志。當(dāng)Pre-failure/advisory BIT=0，并且當(dāng)前值、最差值大于但接近臨界值時，為警告標(biāo)志；當(dāng)Pre-failure/advisory BIT=1，并且當(dāng)前值、最差值小于臨界值時，為故障或錯誤標(biāo)志。

六、SMART參數(shù)詳解

　　一般情況下，用戶只要觀察當(dāng)前值、最差值和臨界值的關(guān)系，并注意狀態(tài)提示信息即可大致了解硬盤的健康狀況。下面簡單介紹各參數(shù)的含義，以紅色標(biāo)出的項目是壽命關(guān)鍵項，藍色為固態(tài)硬盤（SSD）特有的項目。 
　　在基于閃存的固態(tài)硬盤中，存儲單元分為兩類：SLC（Single Layer Cell，單層單元）和MLC（Multi-Level Cell，多層單元）。SLC成本高、容量小、但讀寫速度快，可靠性高，擦寫次數(shù)可高達100000次，比MLC高10倍。而MLC雖容量大、成本低，但其性能大幅落后于SLC。為了保證MLC的壽命，控制芯片還要有智能磨損平衡技術(shù)算法，使每個存儲單元的寫入次數(shù)可以平均分攤，以達到100萬小時的平均無故障時間。因此固態(tài)硬盤有許多SMART參數(shù)是機械硬盤所沒有的，如存儲單元的擦寫次數(shù)、備用塊統(tǒng)計等等，這些新增項大都由廠家自定義，有些尚無詳細的解釋，有些解釋也未必準(zhǔn)確，此處也只是僅供參考。下面凡未注明廠商的固態(tài)硬盤特有的項均為SandForce主控芯片特有的，其它廠商各自單獨注明。

　　01（001）底層數(shù)據(jù)讀取錯誤率 Raw Read Error Rate
　　數(shù)據(jù)為0或任意值，當(dāng)前值應(yīng)遠大于與臨界值。 
　　底層數(shù)據(jù)讀取錯誤率是磁頭從磁盤表面讀取數(shù)據(jù)時出現(xiàn)的錯誤，對某些硬盤來說，大于0的數(shù)據(jù)表明磁盤表面或者讀寫磁頭發(fā)生問題，如介質(zhì)損傷、磁頭污染、磁頭共振等等。不過對希捷硬盤來說，許多硬盤的這一項會有很大的數(shù)據(jù)量，這不代表有任何問題，主要是看當(dāng)前值下降的程度。 
　　在固態(tài)硬盤中，此項的數(shù)據(jù)值包含了可校正的錯誤與不可校正的RAISE錯誤（UECC＋URAISE）。

　　注：RAISE（Redundant Array of Independent Silicon Elements）意為獨立硅元素冗余陣列，是固態(tài)硬盤特有的一種冗余恢復(fù)技術(shù)，保證內(nèi)部有類似RAID陣列的數(shù)據(jù)安全性。

　　02（002）磁盤讀寫通量性能 Throughput Performance
　　此參數(shù)表示硬盤的讀寫通量性能，數(shù)據(jù)值越大越好。當(dāng)前值如果偏低或趨近臨界值，表示硬盤存在嚴重的問題，但現(xiàn)在的硬盤通常顯示數(shù)據(jù)值為0或根本不顯示此項，一般在進行了人工脫機SMART測試后才會有數(shù)據(jù)量。

　　03（003）主軸起旋時間 Spin Up Time
　　主軸起旋時間就是主軸電機從啟動至達到額定轉(zhuǎn)速所用的時間，數(shù)據(jù)值直接顯示時間，單位為毫秒或者秒，因此數(shù)據(jù)值越小越好。不過對于正常硬盤來說，這一項僅僅是一個參考值，硬盤每次的啟動時間都不相同，某次啟動的稍慢些也不表示就有問題。
　　硬盤的主軸電機從啟動至達到額定轉(zhuǎn)速大致需要4秒～15秒左右，過長的啟動時間說明電機驅(qū)動電路或者軸承機構(gòu)有問題。旦這一參數(shù)的數(shù)據(jù)值在某些型號的硬盤上總是為0，這就要看當(dāng)前值和最差值來判斷了。 
　　對于固態(tài)硬盤來說，所有的數(shù)據(jù)都是保存在半導(dǎo)體集成電路中，沒有主軸電機，所以這項沒有意義，數(shù)據(jù)固定為0，當(dāng)前值固定為100。

　　04（004）啟停計數(shù) Start/Stop Count
　　這一參數(shù)的數(shù)據(jù)是累計值，表示硬盤主軸電機啟動/停止的次數(shù)，新硬盤通常只有幾次，以后會逐漸增加。系統(tǒng)的某些功能如空閑時關(guān)閉硬盤等會使硬盤啟動/停止的次數(shù)大為增加，在排除定時功能的影響下，過高的啟動/停止次數(shù)（遠大于通電次數(shù)0C）暗示硬盤電機及其驅(qū)動電路可能有問題。 
　　這個參數(shù)的當(dāng)前值是依據(jù)某種公式計算的結(jié)果，例如對希捷某硬盤來說臨界值為20，當(dāng)前值是通過公式“100－（啟停計數(shù)/1024）”計算得出的。若新硬盤的啟停計數(shù)為0，當(dāng)前值為100－(0/1024)＝100，隨著啟停次數(shù)的增加，該值不斷下降，當(dāng)啟停次數(shù)達到81920次時，當(dāng)前值為100－(81920/1024)＝20，已達到臨界值，表示從啟停次數(shù)來看，該硬盤已達設(shè)計壽命，當(dāng)然這只是個壽命參考值，并不具有確定的指標(biāo)性。 
　　這一項對于固態(tài)硬盤同樣沒有意義，數(shù)據(jù)固定為0，當(dāng)前值固定為100。

　　05（005）重映射扇區(qū)計數(shù) Reallocated Sectors Count/ 退役塊計數(shù) Retired Block Count
　　數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠大于臨界值。
　　當(dāng)硬盤的某扇區(qū)持續(xù)出現(xiàn)讀/寫/校驗錯誤時，硬盤固件程序會將這個扇區(qū)的物理地址加入缺陷表(G-list)，將該地址重新定向到預(yù)先保留的備用扇區(qū)并將其中的數(shù)據(jù)一并轉(zhuǎn)移，這就稱為重映射。執(zhí)行重映射操作后的硬盤在Windows常規(guī)檢測中是無法發(fā)現(xiàn)不良扇區(qū)的，因其地址已被指向備用扇區(qū)，這等于屏蔽了不良扇區(qū)。 
　　這項參數(shù)的數(shù)據(jù)值直接表示已經(jīng)被重映射扇區(qū)的數(shù)量，當(dāng)前值則隨著數(shù)據(jù)值的增加而持續(xù)下降。當(dāng)發(fā)現(xiàn)此項的數(shù)據(jù)值不為零時，要密切注意其發(fā)展趨勢，若能長期保持穩(wěn)定，則硬盤還可以正常運行；若數(shù)據(jù)值不斷上升，說明不良扇區(qū)不斷增加，硬盤已處于不穩(wěn)定狀態(tài)，應(yīng)當(dāng)考慮更換了。如果當(dāng)前值接近或已到達臨界值（此時的數(shù)據(jù)值并不一定很大，因為不同硬盤保留的備用扇區(qū)數(shù)并不相同），表示缺陷表已滿或備用扇區(qū)已用盡，已經(jīng)失去了重映射功能，再出現(xiàn)不良扇區(qū)就會顯現(xiàn)出來并直接導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。 
　　這一項不僅是硬盤的壽命關(guān)鍵參數(shù)，而且重映射扇區(qū)的數(shù)量也直接影響硬盤的性能，例如某些硬盤會出現(xiàn)數(shù)據(jù)量很大，但當(dāng)前值下降不明顯的情況，這種硬盤盡管還可正常運行，但也不宜繼續(xù)使用。因為備用扇區(qū)都是位于磁盤尾部（靠近盤片軸心處），大量的使用備用扇區(qū)會使尋道時間增加，硬盤性能明顯下降。 
　　這個參數(shù)在機械硬盤上是非常敏感的，而對于固態(tài)硬盤來說同樣具有重要意義。閃存的壽命是正態(tài)分布的，例如說MLC能寫入一萬次以上，實際上說的是寫入一萬次之前不會發(fā)生“批量損壞”，但某些單元可能寫入幾十次就損壞了。換言之，機械硬盤的盤片不會因讀寫而損壞，出現(xiàn)不良扇區(qū)大多與工藝質(zhì)量相關(guān)，而閃存的讀寫次數(shù)則是有限的，因而損壞是正常的。所以固態(tài)硬盤在制造時也保留了一定的空間，當(dāng)某個存儲單元出現(xiàn)問題后即把損壞的部分隔離，用好的部分來頂替。這一替換方法和機械硬盤的扇區(qū)重映射是一個道理，只不過機械硬盤正常時極少有重映射操作，而對于固態(tài)硬盤是經(jīng)常性的。 
　　在固態(tài)硬盤中這一項的數(shù)據(jù)會隨著使用而不斷增長，只要增長的速度保持穩(wěn)定就可以。通常情況下，數(shù)據(jù)值＝100－（100×被替換塊/必需塊總數(shù)），因此也可以估算出硬盤的剩余壽命。 
　　Intel固態(tài)硬盤型號的第十二個字母表示了兩種規(guī)格，該字母為1表示第一代的50納米技術(shù)的SSD，為2表示第二代的34納米技術(shù)的SSD，如SSDSA2M160G2GN就表示是34nm的SSD。所以參數(shù)的查看也有兩種情況： 
　　50nm的SSD（一代）要看當(dāng)前值。這個值初始是100，當(dāng)出現(xiàn)替換塊的時候這個值并不會立即變化，一直到已替換四個塊時這個值變?yōu)?，之后每增加四個塊當(dāng)前值就＋1。也就是100對應(yīng)0～3個塊，1對應(yīng)4～7個塊，2對應(yīng)8～11個塊…… 
　　34nm的SSD（二代）直接查看數(shù)據(jù)值，數(shù)據(jù)值直接表示有多少個被替換的塊。

　　06（006）讀取通道余量 Read Channel Margin
　　這一項功能不明，現(xiàn)在的硬盤也不顯示這一項。

　　07（007）尋道錯誤率 Seek Error Rate
　　數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠大于與臨界值。 
　　這一項表示磁頭尋道時的錯誤率，有眾多因素可導(dǎo)致尋道錯誤率上升，如磁頭組件的機械系統(tǒng)、伺服電路有局部問題，盤片表面介質(zhì)不良，硬盤溫度過高等等。 
　　通常此項的數(shù)據(jù)應(yīng)為0，但對希捷硬盤來說，即使是新硬盤，這一項也可能有很大的數(shù)據(jù)量，這不代表有任何問題，還是要看當(dāng)前值是否下降。

　　08（008）尋道性能 Seek Time Performance
　　此項表示硬盤尋道操作的平均性能（尋道速度），通常與前一項（尋道錯誤率）相關(guān)聯(lián)。當(dāng)前值持續(xù)下降標(biāo)志著磁頭組件、尋道電機或伺服電路出現(xiàn)問題，但現(xiàn)在許多硬盤并不顯示這一項。

　　09（009）通電時間累計 Power-On Time Count (POH)
　　這個參數(shù)的含義一目了然，表示硬盤通電的時間，數(shù)據(jù)值直接累計了設(shè)備通電的時長，新硬盤當(dāng)然應(yīng)該接近0，但不同硬盤的計數(shù)單位有所不同，有以小時計數(shù)的，也有以分、秒甚至30秒為單位的，這由磁盤制造商來定義。 
　　這一參數(shù)的臨界值通常為0，當(dāng)前值隨著硬盤通電時間增加會逐漸下降，接近臨界值表明硬盤已接近預(yù)計的設(shè)計壽命，當(dāng)然這并不表明硬盤將出現(xiàn)故障或立即報廢。參考磁盤制造商給出的該型號硬盤的MTBF（平均無故障時間）值，可以大致估計剩余壽命或故障概率。 
　　對于固態(tài)硬盤，要注意“設(shè)備優(yōu)先電源管理功能（device initiated power management，DIPM）”會影響這個統(tǒng)計：如果啟用了DIPM，持續(xù)通電計數(shù)里就不包括睡眠時間；如果關(guān)閉了DIPM功能，那么活動、空閑和睡眠三種狀態(tài)的時間都會被統(tǒng)計在內(nèi)。

　　0A（010）主軸起旋重試次數(shù) Spin up Retry Count
　　數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)大于臨界值。 
　　主軸起旋重試次數(shù)的數(shù)據(jù)值就是主軸電機嘗試重新啟動的計數(shù)，即主軸電機啟動后在規(guī)定的時間里未能成功達到額定轉(zhuǎn)速而嘗試再次啟動的次數(shù)。數(shù)據(jù)量的增加表示電機驅(qū)動電路或是機械子系統(tǒng)出現(xiàn)問題，整機供電不足也會導(dǎo)致這一問題。

　　0B（011）磁頭校準(zhǔn)重試計數(shù) Calibration Retry Count
　　數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠大于與臨界值。
　　硬盤在溫度發(fā)生變化時，機械部件（特別是盤片）會因熱脹冷縮出現(xiàn)形變，因此需要執(zhí)行磁頭校準(zhǔn)操作消除誤差，有的硬盤還內(nèi)置了磁頭定時校準(zhǔn)功能。這一項記錄了需要再次校準(zhǔn)（通常因上次校準(zhǔn)失�。┑拇螖�(shù)。 
　　這一項的數(shù)據(jù)量增加，表示電機驅(qū)動電路或是機械子系統(tǒng)出現(xiàn)問題，但有些型號的新硬盤也有一定的數(shù)據(jù)量，并不表示有問題，還要看當(dāng)前值和最差值。

　　0C（012）通電周期計數(shù) Power Cycle Count
　　通電周期計數(shù)的數(shù)據(jù)值表示了硬盤通電/斷電的次數(shù)，即電源開關(guān)次數(shù)的累計，新硬盤通常只有幾次。 
　　這一項與啟停計數(shù)（04）是有區(qū)別的，一般來說，硬盤通電/斷電意味著計算機的開機與關(guān)機，所以經(jīng)歷一次開關(guān)機數(shù)據(jù)才會加1；而啟停計數(shù)（04）表示硬盤主軸電機的啟動/停止（硬盤在運行時可能多次啟停，如系統(tǒng)進入休眠或被設(shè)置為空閑多少時間而關(guān)閉）。所以大多情況下這個通電/斷電的次數(shù)會小于啟停計數(shù)（04）的次數(shù)。

　　通常，硬盤設(shè)計的通電次數(shù)都很高，如至少5000次，因此這一計數(shù)只是壽命參考值，本身不具指標(biāo)性。

　　0D（013）軟件讀取錯誤率 Soft Read Error Rate
　　軟件讀取錯誤率也稱為可校正的讀取誤碼率，就是報告給操作系統(tǒng)的未經(jīng)校正的讀取錯誤。數(shù)據(jù)值越低越好，過高則可能暗示盤片磁介質(zhì)有問題。

　　AA（170）壞塊增長計數(shù) Grown Failing Block Count（Micron 鎂光）
　　讀寫失敗的塊增長的總數(shù)。

　　AB（171）編程失敗塊計數(shù) Program Fail Block Count
　　Flash編程失敗塊的數(shù)量。

　　AC（172）擦寫失敗塊計數(shù) Erase Fail Block Count
　　擦寫失敗塊的數(shù)量。

　　AD（173）磨損平衡操作次數(shù)（平均擦寫次數(shù)） / Wear Leveling Count（Micron 鎂光）
　　所有好塊的平均擦寫次數(shù)。 
　　Flash芯片有寫入次數(shù)限制，當(dāng)使用FAT文件系統(tǒng)時，需要頻繁地更新文件分配表。如果閃存的某些區(qū)域讀寫過于頻繁，就會比其它區(qū)域磨損的更快，這將明顯縮短整個硬盤的壽命（即便其它區(qū)域的擦寫次數(shù)還遠小于最大限制）。所以，如果讓整個區(qū)域具有均勻的寫入量，就可明顯延長芯片壽命，這稱為磨損均衡措施。

　　AE（174）意外失電計數(shù) Unexpected Power Loss Count
　　硬盤自啟用后發(fā)生意外斷電事件的次數(shù)。

　　B1（177）磨損范圍對比值 Wear Range Delta
　　磨損最重的塊與磨損最輕的塊的磨損百分比之差。

　　B4（180）未用的備用塊計數(shù) Unused Reserved Block Count Total（惠普）
　　固態(tài)硬盤會保留一些容量來準(zhǔn)備替換損壞的存儲單元，所以可用的預(yù)留空間數(shù)非常重要。這個參數(shù)的當(dāng)前值表示的是尚未使用的預(yù)留的存儲單元數(shù)量。

　　B5（181）編程失敗計數(shù) Program Fail Count
　　用4個字節(jié)顯示已編程失敗的次數(shù)，與（AB）參數(shù)相似。

 
　　B5（181）非4KB對齊訪問數(shù) Non-4k Aligned Access（Micron 鎂光）

　　B6（182）擦寫失敗計數(shù) Erase Fail Count
　　用4個字節(jié)顯示硬盤自啟用后塊擦寫失敗的次數(shù)，與（AC）參數(shù)相似。

　　B7（183）串口降速錯誤計數(shù) SATA Downshift Error Count
　　這一項表示了SATA接口速率錯誤下降的次數(shù)。通常硬盤與主板之間的兼容問題會導(dǎo)致SATA傳輸級別降級運行。

　　B8（184）I/O錯誤檢測與校正 I/O Error Detection and Correction（IOEDC）
　　“I/O錯誤檢測與校正”是惠普公司專有的SMART IV技術(shù)的一部分，與其他制造商的I/O錯誤檢測和校正架構(gòu)一樣，它記錄了數(shù)據(jù)通過驅(qū)動器內(nèi)部高速緩存RAM傳輸?shù)街鳈C時的奇偶校驗錯誤數(shù)量。 
　　B8（184）點到點錯誤檢測計數(shù) End to End Error Detection Count
　　Intel第二代的34nm固態(tài)硬盤有點到點錯誤檢測計數(shù)這一項。固態(tài)硬盤里有一個LBA（logical block addressing，邏輯塊地址）記錄，這一項顯示了SSD內(nèi)部邏輯塊地址與真實物理地址間映射的出錯次數(shù)。 
　　B8（184）原始壞塊數(shù) Init Bad Block Count（Indilinx芯片）
　　硬盤出廠時已有的壞塊數(shù)量。

　　B9（185）磁頭穩(wěn)定性 Head Stability（西部數(shù)據(jù)）
　　意義不明。

　　BA（186）感應(yīng)運算振動檢測 nduced Op-Vibration Detection（西部數(shù)據(jù)）
　　意義不明。

　　BB（187）無法校正的錯誤 Reported Uncorrectable Errors（希捷）
　　報告給操作系統(tǒng)的無法通過硬件ECC校正的錯誤。如果數(shù)據(jù)值不為零，就應(yīng)該備份硬盤上的數(shù)據(jù)了。 
　　報告給操作系統(tǒng)的在所有存取命令中出現(xiàn)的無法校正的RAISE（URAISE）錯誤。

　　BC（188）命令超時 Command Timeout
　　由于硬盤超時導(dǎo)致操作終止的次數(shù)。通常數(shù)據(jù)值應(yīng)為0，如果遠大于零，最有可能出現(xiàn)的是電源供電問題或者數(shù)據(jù)線氧化致使接觸不良，也可能是硬盤出現(xiàn)嚴重問題。

　　BD（189）高飛寫入 High Fly Writes
　　磁頭飛行高度監(jiān)視裝置可以提高讀寫的可靠性，這一裝置時刻監(jiān)測磁頭的飛行高度是否在正常范圍來保證可靠的寫入數(shù)據(jù)。如果磁頭的飛行高度出現(xiàn)偏差，寫入操作就會停止，然后嘗試重新寫入或者換一個位置寫入。這種持續(xù)的監(jiān)測過程提高了寫入數(shù)據(jù)的可靠性，同時也降低了讀取錯誤率。這一項的數(shù)據(jù)值就統(tǒng)計了寫入時磁頭飛行高度出現(xiàn)偏差的次數(shù)。

 　　BD（189）出廠壞塊計數(shù) Factory Bad Block Count（Micron 鎂光芯片）

　　BE（190）氣流溫度 Airflow Temperature
　　這一項表示的是硬盤內(nèi)部盤片表面的氣流溫度。在希捷公司的某些硬盤中，當(dāng)前值=（100－當(dāng)前溫度），因此氣流溫度越高，當(dāng)前值就越低，最差值則是當(dāng)前值曾經(jīng)到達過的最低點，臨界值由制造商定義的最高允許溫度來確定，而數(shù)據(jù)值不具實際意義。許多硬盤也沒有這一項參數(shù)。

　　BF（191）沖擊錯誤率 G-sense error rate
　　這一項的數(shù)據(jù)值記錄了硬盤受到機械沖擊導(dǎo)致出錯的頻度。

　　C0（192）斷電返回計數(shù) Power-Off Retract Count
　　當(dāng)計算機關(guān)機或意外斷電時，硬盤的磁頭都要返回�？繀^(qū)，不能停留在盤片的數(shù)據(jù)區(qū)里。正常關(guān)機時電源會給硬盤一個通知，即Standby Immediate，就是說主機要求將緩存數(shù)據(jù)寫入硬盤，然后就準(zhǔn)備關(guān)機斷電了（休眠、待機也是如此）；意外斷電則表示硬盤在未收到關(guān)機通知時就失電，此時磁頭會自動復(fù)位，迅速離開盤片。 
　　這個參數(shù)的數(shù)據(jù)值累計了磁頭返回的次數(shù)。但要注意這個參數(shù)對某些硬盤來說僅記錄意外斷電時磁頭的返回動作；而某些硬盤記錄了所有（包括休眠、待機，但不包括關(guān)機時）的磁頭返回動作；還有些硬盤這一項沒有記錄。因此這一參數(shù)的數(shù)據(jù)值在某些硬盤上持續(xù)為0或稍大于0，但在另外的硬盤上則會大于通電周期計數(shù)（0C）或啟停計數(shù)（04）的數(shù)據(jù)。在一些新型節(jié)能硬盤中，這一參數(shù)的數(shù)據(jù)量還與硬盤的節(jié)能設(shè)計相關(guān)，可能會遠大于通電周期計數(shù)（0C）或啟停計數(shù)（04）的數(shù)據(jù)，但又遠小于磁頭加載/卸載計數(shù)（C1）的數(shù)據(jù)量。 
　　對于固態(tài)硬盤來說，雖然沒有磁頭的加載/卸載操作，但這一項的數(shù)據(jù)量仍然代表了不安全關(guān)機，即發(fā)生意外斷電的次數(shù)。

　　C1（193）磁頭加載/卸載計數(shù) Load/Unload Cycle Count
　　對于過去的硬盤來說，盤片停止旋轉(zhuǎn)時磁頭臂停靠于盤片中心軸處的停泊區(qū)，磁頭與盤片接觸，只有當(dāng)盤片旋轉(zhuǎn)到一定轉(zhuǎn)速時，磁頭才開始漂浮于盤片之上并開始向外側(cè)移動至數(shù)據(jù)區(qū)。這使得磁頭在硬盤啟停時都與盤片發(fā)生摩擦，雖然盤片的停泊區(qū)不存儲數(shù)據(jù)，但無疑啟停一個循環(huán)，就使磁頭經(jīng)歷兩次磨損。所以對以前的硬盤來說，磁頭起降（加載/卸載）次數(shù)是一項重要的壽命關(guān)鍵參數(shù)。 
　　而在現(xiàn)代硬盤中，平時磁頭臂是�？坑诒P片之外的一個專門設(shè)計的停靠架上，遠離盤片。只有當(dāng)盤片旋轉(zhuǎn)達到額定轉(zhuǎn)速后，磁頭臂才開始向內(nèi)（盤片軸心）轉(zhuǎn)動使磁頭移至盤片區(qū)域（加載），磁頭臂向外轉(zhuǎn)動返回至�？考芗葱遁d。這樣就徹底杜絕了硬盤啟停時磁頭與盤片接觸的現(xiàn)象，西部數(shù)據(jù)公司將其稱為“斜坡加載技術(shù)”。由于磁頭在加載/卸載過程中始終不與盤片接觸，不存在磁頭的磨損，使得這一參數(shù)的重要性已經(jīng)大大下降。 
　　這個參數(shù)的數(shù)據(jù)值就是磁頭執(zhí)行加載/卸載操作的累計次數(shù)。從原理上講，這個加載/卸載次數(shù)應(yīng)當(dāng)與硬盤的啟停次數(shù)相當(dāng)，但對于筆記本內(nèi)置硬盤以及臺式機新型節(jié)能硬盤來說，這一項的數(shù)據(jù)量會很大。這是因為磁頭臂組件設(shè)計有一個固定的返回力矩，保證在意外斷電時磁頭能靠彈簧力自動離開盤片半徑范圍，迅速返回�？考堋Ｋ�以要讓硬盤運行時磁頭保持在盤片的半徑之內(nèi)，就要使磁頭臂驅(qū)動電機（尋道電機）持續(xù)通以電流。而讓磁頭臂在硬盤空閑幾分鐘后就立即執(zhí)行卸載動作，返回到�？考苌�，既有利于節(jié)能，又降低了硬盤受外力沖擊導(dǎo)致磁頭與盤片接觸的概率。雖然再次加載會增加一點尋道時間，但畢竟弊大于利，所以在這類硬盤中磁頭的加載/卸載次數(shù)會遠遠大于通電周期計數(shù)（0C）或啟停計數(shù)（04）的數(shù)據(jù)量。不過這種加載/卸載方式已經(jīng)沒有了磁頭與盤片的接觸，所以設(shè)計值也已大大增加，通常筆記本內(nèi)置硬盤的磁頭加載/卸載額定值在30～60萬次，而臺式機新型節(jié)能硬盤的磁頭加載/卸載設(shè)計值可達一百萬次。

　　C2（194）溫度 Temperature
　　溫度的數(shù)據(jù)值直接表示了硬盤內(nèi)部的當(dāng)前溫度。硬盤運行時最好不要超過45℃，溫度過高雖不會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失，但引起的機械變形會導(dǎo)致尋道與讀寫錯誤率上升，降低硬盤性能。硬盤的最高允許運行溫度可查看硬盤廠商給出的數(shù)據(jù)，一般不會超過60℃。 
　　不同廠家對溫度參數(shù)的當(dāng)前值、最差值和臨界值有不同的表示方法：希捷公司某些硬盤的當(dāng)前值就是實際溫度（攝氏）值，最差值則是曾經(jīng)達到過的最高溫度，臨界值不具意義；而西部數(shù)據(jù)公司一些硬盤的最差值是溫度上升到某值后的時間函數(shù)，每次升溫后的持續(xù)時間都將導(dǎo)致最差值逐漸下降，當(dāng)前值則與當(dāng)前溫度成反比，即當(dāng)前溫度越高，當(dāng)前值越低，隨實際溫度波動。

　　C3（195）硬件ECC校正 Hardware ECC Recovered
　　ECC（Error Correcting Code）的意思是“錯誤檢查和糾正”，這個技術(shù)能夠容許錯誤，并可以將錯誤更正，使讀寫操作得以持續(xù)進行，不致因錯誤而中斷。這一項的數(shù)據(jù)值記錄了磁頭在盤片上讀寫時通過ECC技術(shù)校正錯誤的次數(shù)，不過許多硬盤有其制造商特定的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，因此數(shù)據(jù)量的大小并不能直接說明問題。 
　　C3（195）實時無法校正錯誤計數(shù) On the fly ECC Uncorrectable Error Count
　　這一參數(shù)記錄了無法校正（UECC）的錯誤數(shù)量。 
　　C3（195）編程錯誤塊計數(shù) Program Failure block Count（Indilinx芯片）

　　C4（196）重映射事件計數(shù) Reallocetion Events Count
　　數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠大于臨界值。 
　　這個參數(shù)的數(shù)據(jù)值記錄了將重映射扇區(qū)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到備用扇區(qū)的嘗試次數(shù)，是重映射操作的累計值，成功的轉(zhuǎn)移和不成功的轉(zhuǎn)移都會被計數(shù)。因此這一參數(shù)與重映射扇區(qū)計數(shù)（05）相似，都是反映硬盤已經(jīng)存在不良扇區(qū)。 
　　C4（196）擦除錯誤塊計數(shù) Erase Failure block Count（Indilinx芯片）
　　在固態(tài)硬盤中，這一參數(shù)記錄了被重映射的塊編程失敗的數(shù)量。

　　C5（197）當(dāng)前待映射扇區(qū)計數(shù) Current Pending Sector Count
　　數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠大于臨界值。
　　這個參數(shù)的數(shù)據(jù)表示了“不穩(wěn)定的”扇區(qū)數(shù)，即等待被映射的扇區(qū)（也稱“被掛起的扇區(qū)”）數(shù)量。如果不穩(wěn)定的扇區(qū)隨后被讀寫成功，該扇區(qū)就不再列入等待范圍，數(shù)據(jù)值就會下降。 
　　僅僅讀取時出錯的扇區(qū)并不會導(dǎo)致重映射，只是被列入“等待”，也許以后讀取就沒有問題，所以只有在寫入失敗時才會發(fā)生重映射。下次對該扇區(qū)寫入時如果繼續(xù)出錯，就會產(chǎn)生一次重映射操作，此時重映射扇區(qū)計數(shù)（05）與重映射事件計數(shù)（C4）的數(shù)據(jù)值增加，此參數(shù)的數(shù)據(jù)值下降。
　　C5（197）讀取錯誤塊計數(shù)（不可修復(fù)錯誤）Read Failure block Count（Indilinx芯片）

　　C6（198）脫機無法校正的扇區(qū)計數(shù) Offline Uncorrectable Sector Count
　　數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠大于臨界值。
　　這個參數(shù)的數(shù)據(jù)累計了讀寫扇區(qū)時發(fā)生的無法校正的錯誤總數(shù)。數(shù)據(jù)值上升表明盤片表面介質(zhì)或機械子系統(tǒng)出現(xiàn)問題，有些扇區(qū)肯定已經(jīng)不能讀取，如果有文件正在使用這些扇區(qū)，操作系統(tǒng)會返回讀盤錯誤的信息。下一次寫操作時會對該扇區(qū)執(zhí)行重映射。 
　　C6（198）總讀取頁數(shù) Total Count of Read Sectors（Indilinx芯片）

　　C7（199）Ultra ATA訪問校驗錯誤率 Ultra ATA CRC Error Rate
　　這個參數(shù)的數(shù)據(jù)值累計了通過接口循環(huán)冗余校驗（Interface Cyclic Redundancy Check，ICRC）發(fā)現(xiàn)的數(shù)據(jù)線傳輸錯誤的次數(shù)。如果數(shù)據(jù)值不為0且持續(xù)增長，表示硬盤控制器→數(shù)據(jù)線→硬盤接口出現(xiàn)錯誤，劣質(zhì)的數(shù)據(jù)線、接口接觸不良都可能導(dǎo)致此現(xiàn)象。由于這一項的數(shù)據(jù)值不會復(fù)零，所以某些新硬盤也會出現(xiàn)一定的數(shù)據(jù)量，只要更換數(shù)據(jù)線后數(shù)據(jù)值不再繼續(xù)增長，即表示問題已得到解決。 
　　C7（199）總寫入頁數(shù) Total Count of Write Sectors（Indilinx芯片）

　　C8（200）寫入錯誤率 Write Error Rate / 多區(qū)域錯誤率 Multi-Zone Error Rate（西部數(shù)據(jù)）
　　數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠大于臨界值。 
　　這個參數(shù)的數(shù)據(jù)累計了向扇區(qū)寫入數(shù)據(jù)時出現(xiàn)錯誤的總數(shù)。有的新硬盤也會有一定的數(shù)據(jù)量，若數(shù)據(jù)值持續(xù)快速升高（當(dāng)前值偏低），表示盤片、磁頭組件可能有問題。 
　　C8（200）總讀取指令數(shù) Total Count of Read Command（Indilinx芯片）

　　C9（201）脫道錯誤率 Off Track Error Rate / 邏輯讀取錯誤率 Soft Read Error Rate
　　數(shù)據(jù)值累積了讀取時脫軌的錯誤數(shù)量，如果數(shù)據(jù)值不為0，最好備份硬盤上的資料。 
　　C9（201）TA Counter Detected（意義不明）
　　C9（201）寫入指令總數(shù) Total Count of Write Command（Indilinx芯片）

　　CA（202）數(shù)據(jù)地址標(biāo)記錯誤 Data Address Mark errors
　　此項的數(shù)據(jù)值越低越好（或者由制造商定義）。 
　　CA（202）TA Counter Increased（意義不明）
　　CA（202）剩余壽命 Percentage Of The Rated Lifetime Used（Micron 鎂光芯片）
　　當(dāng)前值從100開始下降至0，表示所有塊的擦寫余量統(tǒng)計。計算方法是以MLC擦寫次數(shù)除以50，SLC擦寫次數(shù)除以1000，結(jié)果取整數(shù)，將其與100的差值作為當(dāng)前值（MLC預(yù)計擦寫次數(shù)為5000，SLC預(yù)計擦寫次數(shù)為100000）。 
　　CA（202）閃存總錯誤bit數(shù) Total Count of error bits from flash（Indilinx芯片）

　　CB（203）軟件ECC錯誤數(shù) Run Out Cancel
　　錯誤檢查和糾正（ECC）出錯的頻度。 
　　CB（203）校正bit錯誤的總讀取頁數(shù) Total Count of Read Sectors with correct bits error（Indilinx芯片）

　　CC（204）軟件ECC校正 Soft ECC Correction
　　通過軟件ECC糾正錯誤的計數(shù)。 
　　CC（204）壞塊滿標(biāo)志 Bad Block Full Flag（Indilinx芯片）

　　CD（205）熱騷動錯誤率 Thermal Asperity Rate (TAR)
　　由超溫導(dǎo)致的錯誤。數(shù)據(jù)值應(yīng)為0。 
　　CD（205）最大可編程/擦除次數(shù) Max P/E Count（Indilinx芯片）

　　CE（206）磁頭飛行高度 Flying Height
　　磁頭距離盤片表面的垂直距離。高度過低則增加了磁頭與盤片接觸導(dǎo)致?lián)p壞的可能性；高度偏高則增大了讀寫錯誤率。不過準(zhǔn)確地說，硬盤中并沒有任何裝置可以直接測出磁頭的飛行高度，制造商也只是根據(jù)磁頭讀取的信號強度來推算磁頭飛行高度。 
　　CE（206）底層數(shù)據(jù)寫入出錯率 Write Error Rate
　　CE（206）最小擦寫次數(shù) Erase Count Min（Indilinx芯片）

　　CF（207）主軸過電流 Spin High Current
　　數(shù)據(jù)值記錄了主軸電機運行時出現(xiàn)浪涌電流的次數(shù)，數(shù)據(jù)量的增加意味著軸承或電機可能有問題。 
　　CF（207）最大擦寫次數(shù) Erase Count Max（Indilinx芯片）

　　D0（208）主軸電機重啟次數(shù) Spin Buzz
　　數(shù)據(jù)值記錄了主軸電機反復(fù)嘗試啟動的次數(shù)，這通常是由于電源供電不足引起的。 
　　D0（208）平均擦寫次數(shù)Erase Count Average（Indilinx芯片）

　　D1（209）脫機尋道性能 Offline Seek Performance
　　這一項表示驅(qū)動器在脫機狀態(tài)下的尋道性能，通常用于工廠內(nèi)部測試。 
　　D1（209）剩余壽命百分比 Remaining Life %（Indilinx芯片）

　　D2（210）斜坡加載值 Ramp Load Value
　　這一項僅見于幾年前邁拓制造的部分硬盤。通常數(shù)據(jù)值為0，意義不明。 
　　D2（210）壞塊管理錯誤日志 BBM Error Log（Indilinx芯片）

　　D3（211）寫入時振動 Vibration During Write
　　寫入數(shù)據(jù)時受到受到外部振動的記錄。 
　　D3（211）SATA主機接口CRC寫入錯誤計數(shù) SATA Error Count CRC (Write)（Indilinx芯片）

　　D4（212）寫入時沖擊 Shock During Write
　　寫入數(shù)據(jù)時受到受到外部機械沖擊的記錄。 
　　D4（212）SATA主機接口讀取錯誤計數(shù) SATA Error Count Count CRC (Read)（Indilinx芯片）

　　DC（220）盤片偏移量 Disk Shift
　　硬盤中的盤片相對主軸的偏移量（通常是受外力沖擊或溫度變化所致），單位未知，數(shù)據(jù)值越小越好。

　　DD（221）沖擊錯誤率 G-sense error rate
　　與（BF）相同，數(shù)據(jù)值記錄了硬盤受到外部機械沖擊或振動導(dǎo)致出錯的頻度。

　　DE（222）磁頭尋道時間累計 Loaded Hours
　　磁頭臂組件運行的小時數(shù)，即尋道電機運行時間累計。

　　DF（223）磁頭加載/卸載重試計數(shù) Load/Unload Retry Count
　　這一項與（C1）項類似，數(shù)據(jù)值累積了磁頭嘗試重新加載/卸載的次數(shù)。

　　E0（224）磁頭阻力 Load Friction
　　磁頭工作時受到的機械部件的阻力。

　　E1（225）主機寫入數(shù)據(jù)量 Host Writes
　　由于閃存的擦寫次數(shù)是有限的，所以這項是固態(tài)硬盤特有的統(tǒng)計。Intel的SSD是每當(dāng)向硬盤寫入了65536個扇區(qū)，這一項的數(shù)據(jù)就＋1。如果用HDTune等軟件查看SMART時可以自己計算，Intel SSD Toolbox已經(jīng)為你算好了，直接就顯示了曾向SSD中寫入過的數(shù)據(jù)量。

　　E2（226）磁頭加載時間累計 Load 'In'-time
　　磁頭組件運行時間的累積數(shù)，即磁頭臂不在�？繀^(qū)的時間，與（DE）項相似。

　　E3（227）扭矩放大計數(shù) Torque Amplification Count
　　主軸電機試圖提高扭矩來補償盤片轉(zhuǎn)速變化的次數(shù)。當(dāng)主軸軸承存在問題時，主軸電機會嘗試增加驅(qū)動力使盤片穩(wěn)定旋轉(zhuǎn)。這個參數(shù)的當(dāng)前值下降，說明硬盤的機械子系統(tǒng)出現(xiàn)了嚴重的問題。

　　E4（228）斷電返回計數(shù) Power-Off Retract Cycle
　　數(shù)據(jù)值累計了磁頭因設(shè)備意外斷電而自動返回的次數(shù)，與（C0）項相似。

　　E6（230）GMR磁頭振幅 GMR Head Amplitude
　　磁頭“抖動”，即正向/反向往復(fù)運動的距離。

　　E7（231）溫度 Temperature
　　溫度的數(shù)據(jù)值直接表示了硬盤內(nèi)部的當(dāng)前溫度，與（C2）項相同。 
　　E7（231）剩余壽命 SSD Life Left
　　剩余壽命是基于P/E周期與可用的備用塊作出的預(yù)測。新硬盤為100；10表示PE周期已到設(shè)計值，但尚有足夠的保留塊；0表示保留塊不足，硬盤將處于只讀方式以便備份數(shù)據(jù)。

　　E8（232）壽命余量 Endurance Remaining
　　壽命余量是指硬盤已擦寫次數(shù)與設(shè)計最大可擦寫次數(shù)的百分比，與（CA）項相似。 
　　E8（232）預(yù)留空間剩余量 Available Reserved Space（Intel芯片）
　　對于Intel的SSD來說，前邊05項提到會保留一些容量來準(zhǔn)備替換損壞的存儲單元，所以可用的預(yù)留空間數(shù)非常重要。當(dāng)保留的空間用盡，再出現(xiàn)損壞的單元就將出現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失，這個SSD的壽命就結(jié)束了。所以僅看05項意義并不大，這一項才最重要。這項參數(shù)可以看當(dāng)前值，新的SSD里所有的預(yù)留空間都在，所以是100。隨著預(yù)留空間的消耗，當(dāng)前值將不斷下降，減小到接近臨界值（一般是10）時，就說明只剩下10%的預(yù)留空間了，SSD的壽命將要結(jié)束。這個與（B4）項相似。

　　E9（233）通電時間累計 Power-On Hours
　　對于普通硬盤來說，這一項與（09）相同。 
　　E9（233）介質(zhì)磨耗指數(shù) Media Wareout Indicator（Intel芯片）
　　由于固態(tài)硬盤的擦寫次數(shù)是有限的，當(dāng)?shù)竭_一定次數(shù)的時候，就會出現(xiàn)大量的單元同時損壞，這時候預(yù)留空間也頂不住了，所以這項參數(shù)實際上表示的是硬盤設(shè)計壽命。Intel的SSD要看當(dāng)前值，隨著NAND的平均擦寫次數(shù)從0增長到最大的設(shè)計值，這一參數(shù)的當(dāng)前值從開始的100逐漸下降至1為止。這表示SSD的設(shè)計壽命已經(jīng)終結(jié)。當(dāng)然到達設(shè)計壽命也不一定意味著SSD就立即報廢，這與閃存芯片的品質(zhì)有著很大的關(guān)系。

　　注：Total Erase Count全擦寫計數(shù)是指固態(tài)硬盤中所有塊的擦寫次數(shù)的總和，不同規(guī)格的NAND芯片以及不同容量的SSD，其最大全擦寫次數(shù)均有所不同。

　　F0（240）磁頭飛行時間 Head Flying Hours / 傳輸錯誤率 Transfer Error Rate（富士通）
　　磁頭位于工作位置的時間。 
　　富士通硬盤表示在數(shù)據(jù)傳輸時連接被重置的次數(shù)。

　　F1（241）LBA寫入總數(shù) Total LBAs Written
　　LBA寫入數(shù)的累計。 
　　F1（241）寫入剩余壽命 Lifetime Writes from Host
　　自硬盤啟用后主機向硬盤寫入的數(shù)據(jù)總量，以4個字節(jié)表示，每寫入64GB字節(jié)作為一個單位。

　　F2（242）LBA讀取總數(shù) Total LBAs Read
　　LBA讀取數(shù)的累計。某些SMART讀取工具會顯示負的數(shù)據(jù)值，是因為采用了48位LBA，而不是32位LBA。 
　　F2（242）讀取剩余壽命 Lifetime Reads from Host
　　自硬盤啟用后主機從硬盤讀取的數(shù)據(jù)總量，以4個字節(jié)表示，每讀取64GB字節(jié)作為一個單位。

　　FA（250）讀取錯誤重試率 Read Error Retry Rate
　　從磁盤上讀取時出錯的次數(shù)。

　　FE（254）自由墜落保護 Free Fall Protection
　　現(xiàn)在有些筆記本硬盤具有自由墜落保護功能，當(dāng)硬盤內(nèi)置的加速度探測裝置檢測到硬盤位移時，會立即停止讀寫操作，將磁頭臂復(fù)位。這個措施防止了磁頭與盤片之間發(fā)生摩擦撞擊，提高了硬盤的抗震性能。這個參數(shù)的數(shù)據(jù)里記錄了這一保護裝置動作的次數(shù)。

如圖，此SSD硬盤要掛了。