igbt單管

　　10月29日，英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓，成為首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。

　　據(jù)介紹，這種晶圓直徑為30mm，厚度20μm僅為頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進(jìn)的40-60μm晶圓厚度的一半。該技術(shù)已獲得認(rèn)可，并被應(yīng)用于英飛凌的集成智能功率級(直流-直流轉(zhuǎn)換器)中，且已交付給首批客戶。

　　英飛凌指出，這項(xiàng)創(chuàng)新將有助于大幅提高功率轉(zhuǎn)換解決方案的能效、功率密度和可靠性，適用于AI數(shù)據(jù)中心，以及消費(fèi)、電機(jī)控制和計(jì)算應(yīng)用。

　　具體而言，與基于傳統(tǒng)硅晶圓的解決方案相比，此次晶圓厚度減半可將基板電阻降低50%，從而使功率系統(tǒng)中的功率損耗減少15%以上。對于高端AI服務(wù)器應(yīng)用來說，電流增大會(huì)推動(dòng)能源需求上升，因此，將電壓從230V降低到1.8V以下的處理器電壓，對于功率轉(zhuǎn)換來說尤為重要。超薄晶圓技術(shù)大大促進(jìn)了基于垂直溝槽MOSFET技術(shù)的垂直功率傳輸設(shè)計(jì)。這種設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了與AI芯片處理器的高度緊密連接，在減少功率損耗的同時(shí)，提高了整體效率。

　　此前，英飛凌剛宣布，推出全球首款300mm氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓，以及在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體晶圓廠。上述體現(xiàn)出英飛凌加強(qiáng)布局功率半導(dǎo)體市場的決心。

　　英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White表示，隨著AI數(shù)據(jù)中心的能源需求大幅上升，能效變得日益重要。這給英飛凌帶來了快速發(fā)展的機(jī)遇�；�于中雙位數(shù)的增長率，預(yù)計(jì)其AI業(yè)務(wù)收入在未來兩年內(nèi)將達(dá)到10億歐元。