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　　10月29日，半導(dǎo)體大廠英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓，成為首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。

　　英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White表示，隨著AI數(shù)據(jù)中心的能源需求大幅上升，能效變得日益重要。這給英飛凌帶來(lái)了快速發(fā)展的機(jī)遇，英飛凌預(yù)計(jì)其AI業(yè)務(wù)收入在未來(lái)兩年內(nèi)將達(dá)到10億歐元。

　　1晶圓厚度僅為頭發(fā)絲1/4

　　技術(shù)規(guī)格上，這種晶圓直徑為30mm，厚度20μm僅為頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進(jìn)的40-60μm晶圓厚度的一半。通常來(lái)講，晶圓的厚度大致在幾十到幾百微米之間。此次英飛凌將晶圓厚度降低到20μm，可謂是業(yè)界全新的突破。但業(yè)界也認(rèn)為，更薄的晶圓也將面臨一些新的技術(shù)挑戰(zhàn)，例如傳統(tǒng)工藝兼容、翹曲等問(wèn)題。

　　技術(shù)優(yōu)勢(shì)上，與基于傳統(tǒng)硅晶圓的解決方案相比，該技術(shù)晶圓厚度減半，基板電阻可降低50%，功率系統(tǒng)中的功率損耗可減少15%以上。對(duì)于高端AI服務(wù)器應(yīng)用來(lái)說(shuō)，電流增大會(huì)推動(dòng)能源需求上升，因此，將電壓從230V降低到1.8V以下的處理器電壓，對(duì)于功率轉(zhuǎn)換來(lái)說(shuō)尤為重要。

　　應(yīng)用領(lǐng)域上，英飛凌這款超薄晶圓技術(shù)已獲得認(rèn)可，并被應(yīng)用于英飛凌的集成智能功率級(jí)(直流-直流轉(zhuǎn)換器)中，且已交付給首批客戶。英飛凌指出，這項(xiàng)創(chuàng)新將有助于大幅提高功率轉(zhuǎn)換解決方案的能效、功率密度和可靠性，適用于AI數(shù)據(jù)中心，以及消費(fèi)、電機(jī)控制和計(jì)算應(yīng)用。

　　目前，英飛凌擁有全面的產(chǎn)品和技術(shù)組合，覆蓋了基于Si、SiC和GaN的器件。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體作為新型半導(dǎo)體材料，因其在高功率應(yīng)用中的卓越表現(xiàn)，也被認(rèn)為是硅的下一代繼任者。英飛凌稱，硅將繼續(xù)在許多領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，但英飛凌也在積極推進(jìn)SiC和GaN技術(shù)的發(fā)展。

　　在氮化鎵方面，英飛凌推出全球首款300mm氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓;碳化硅方面，該公司提升其200毫米晶圓產(chǎn)能，目前已建成全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體晶圓廠，晶圓廠位于馬來(lái)西亞居林。

　　上述體現(xiàn)出英飛凌加強(qiáng)布局功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的決心。